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中国国家发改委对话美国在华企业回应三大关切******

　　(经济观察)中国国家发改委对话美国在华企业回应三大关切

　　中新社北京11月2日电题：中国国家发改委对话美国在华企业回应三大关切

　　中新社记者王恩博

　　中国国家发展和改革委员会1日在北京与美国在华跨国企业高层举行圆桌会。此次会议由国家发改委国际司、中国新闻社主办，中国新闻网承办，中国美国商会、美中贸易全国委员会及60余家美在华企业高级代表参会。

11月1日下午，以“聚焦二十大共谋新发展”为主题的国家发展改革委与美在华跨国企业高层圆桌会在北京举行。

　　对话之中，国家发改委相关司局负责人回应了美国企业对于最新版鼓励外商投资产业目录、服务“双碳”目标、中美关系等议题的多个关切。

　　鼓励外商投资有何新招？

　　中国官方最新发布的《鼓励外商投资产业目录(2022年版)》受到玛氏等企业关注。据国家发改委外资司副司长夏晴介绍，相比上一版，新版目录主要有三方面变化。

　　一是扩大了鼓励外商投资的范围。新版目录总条目1474条，较上一版本净增加239条，增幅达19.4%，增加条目近年来最多。这充分表明中国鼓励外商投资的态度是明确的，扩大对外开放的决心是坚定的。

　　二是加大了重点行业领域的引资政策力度。此次目录修订加大了对先进制造业、现代服务业、高新技术、节能环保等行业领域鼓励外商投资的政策力度，推动优化外商投资产业结构，进一步提高利用外资质量。“许多外资企业在上述这些领域是具有优势的”，夏晴说，新版目录的出台为这些企业实现更好发展提供了重要机遇。

　　三是加大了中西部和东北地区的引资政策力度。此次目录修订根据中西部和东北地区等省份的比较优势制定更加具有针对性的鼓励政策，加大了对基础制造、民生消费等领域的支持力度，有利于外资企业利用当地劳动力和特色资源优势实现更好发展。

　　如何把握“双碳”机遇？

　　跨国企业如何参与中国碳达峰碳中和进程，是康菲石油等企业的关切。“我们欢迎和支持外资企业积极投身到中国实现‘双碳’目标的过程中来”，国家发改委环资司副司长赵鹏高细数中国经济社会发展全面绿色低碳转型带来的机遇。

　　低碳、零碳、负碳技术交流合作是其一。特别是要聚焦可再生能源开发、核能、节能、氢能、储备能源、二氧化碳利用与封存、工业领域低碳工艺革新和数字化转型等重点领域，加强技术交流互鉴，共同为全球绿色低碳发展提供动力。

　　开展绿色低碳贸易与投资合作亦是重点。赵鹏高说，中国支持外资企业在新能源、节能环保、生态环境、绿色服务等领域加大在华投资力度，扩大节能环保产品和服务进出口规模，有关企业也将享受节能、节水、环境保护、税收优惠政策等既有政策，“我们对外资企业一视同仁”。

　　他同时提及，中国承诺大力支持发展中国家能源绿色低碳发展，中外企业具有广阔合作空间和巨大合作潜力，希望跨国公司发挥自身优势，与中国企业携手开展第三方市场合作，实现合作共赢。

　　怎样坚定在华发展信心？

　　“在中国高质量发展进程中，外资是何定位？如何坚定外资在华发展信心？”施耐德电气提出的问题，也是众多在华美国企业的关切。

　　“美在华企业既是国际大循环的重要参与者，也是推动中国国内大循环的重要力量。”国家发改委国际司副司长高健表示，美在华企业踊跃报名此次圆桌会，60余家美重点在华企业代表第一时间积极反馈，参与热情极高，这也从侧面反映出美企对于中国市场的重视程度。

　　根据中国海关数据，今年1至9月，中美贸易额达5803.97亿美元，同比增长6.9%；美对华投资保持稳定，对华投资额达18.6亿美元，同比增长1.3%。

　　高健指出，中国拥有全球最大的市场，能够为外资企业带来广阔的机遇和合作空间。希望美在华企业保持对中国市场的信心，在“变局”中培育新的战略机遇，充分把握潜在投资机会，探索更多投资合作领域，支持和促进更多技术创新及其在华应用推广，为促进中美经济合作走深走实、中美关系更好向前发展贡献积极力量。(完)

多光子非线性量子干涉首次实现为新型量子态制备等应用奠定基础******

　　科技日报合肥1月16日电 (记者吴长锋)记者16日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作，基于光量子集成芯片，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果日前发表在光学权威学术期刊《光学》上。

　　量子干涉是众多量子应用的基础，特别是近年来基于路径不可区分性产生的非线性干涉过程越来越引起人们的关注。尽管双光子非线性干涉过程已经实现了20多年，并且在许多新兴量子技术中得到应用，直到2017年，人们才在理论上将该现象扩展到多光子过程，但实验上由于需要极高的相位稳定性和路径重合性，一直未获得新进展。光量子集成芯片，以其极高的相位稳定性和可重构性逐渐发展成为展示新型量子应用、开发新型量子器件的理想平台，也为多光子非线性干涉研究提供了实现的可能性。

　　任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展。在前工作基础上，研究组通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构片上级联，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程，其四光子干涉可见度为0.78。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化，这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。

　　这一成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程，为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等应用奠定了基础。审稿人一致认为这是一个重要的研究工作，并给出了高度评价：该芯片设计精良，包含多种集成光学元件，如纠缠光子源、干涉仪、频率滤波器/组合器；这项工作推动了集成光子量子信息科学与技术研究领域的发展。

　　（文图：赵筱尘巫邓炎）

[责编：天天中]

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